| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
EMB35N04A | N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：214.46 Kbytes Page：6 Pages | EXCELLIANCE 杰力科技 |   | |
EMB35N04A | Power MOSFETs-N Channel | EXCELLIANCE 杰力科技 | | |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP35N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 10 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive appli | RENESAS 瑞萨 | | ||
NPN Darlington Power Transistor 文件：46.91 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
NPN Darlington Power Transistor 文件：96.82 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
NPN Darlington Power Transistor 文件：128.4 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
丝印代码：Q35N04；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：569.03 Kbytes Page：6 Pages | YANGJIE 扬杰电子 | |
EMB35N04A产品属性
- 类型
描述
- Channel：
Single N
- BVDSS(V)：
40
- VGS(±V)：
20
- ID(A)：
12
- RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
28
- RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
- RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
45
- RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
- Qg(10V)Typ.(nC)：
13.7
- CissTyp.(pF)：
527
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EMC |
24+ |
SOT-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
EMC |
2026+ |
TO-252 |
3859 |
原装正品 假一罚十! |
|||
EMC/杰力 |
2511 |
TO252-2 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
EMC/杰力 |
25+ |
TO-252 |
2000 |
全新原装正品支持含税 |
|||
EMC |
25+ |
SOT-252 |
8000 |
只有原装 |
|||
EMC |
新年份 |
TO-252 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
EMC |
24+ |
SOT-252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
EMC |
03+ |
SOT-252 |
2512 |
全新 发货1-2天 |
|||
EMC |
2023+ |
TO-252 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
|||
EMC |
23+ |
TO-252 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
EMB35N04A规格书下载地址
EMB35N04A参数引脚图相关
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- EMB4M
- EMB4FU
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- EMB4F
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- EMB450
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- EMB3T2R
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2019-4-10
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