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MICROWAVE POWER GaAs FET

MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES HIGH POWER P1dB=45.0dBm at 14.0GHz to 14.5GHz HIGH GAIN G1dB=5.5dB at 14.0GHz to 14.5GHz LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-3 8:03:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
19+
微波高频管
1000
全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单
TOSHIBA
21+
标准封装
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进口原装,订货渠道!
TOSHIBA/东芝
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明嘉莱只做原装正品现货
2510000
TOSHIBA
TOSHIBA/东芝
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TO-59
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原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
三年内
1983
只做原装正品
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SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
TOSHIBA
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
TOSHIBA/东芝
2223+
TOSHIBA
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
TOSHIBA
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原厂原包
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十年专业专注 优势渠道商正品保证
TOSHIBA/东芝
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现货供应

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