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MICROWAVE POWER GaAs FET

MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES HIGH POWER P1dB=45.0dBm at 14.0GHz to 14.5GHz HIGH GAIN G1dB=5.5dB at 14.0GHz to 14.5GHz LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-3-16 16:07:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
25+
Description
1200
全新原装现货,价格优势
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA/东芝
2540+
TOSHIBA
8595
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
TOSHIBA/东芝
2223+
TOSHIBA
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
TOSHIBA
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
TOSHIBA
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TOSHIBA
三年内
1983
只做原装正品
TOSHIBA/东芝
16+
明嘉莱只做原装正品现货
2510000
TOSHIBA
TOSHIBA/东芝
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
TOSHIBA
25+
????
5000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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