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MICROWAVE POWER GaAs FET

MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES HIGH POWER P1dB=45.0dBm at 14.0GHz to 14.5GHz HIGH GAIN G1dB=5.5dB at 14.0GHz to 14.5GHz LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-3 11:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA
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