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2-8 GHz Medium Power Gallium Arsenide FET

Description The ATF-45101 is a gallium arsenide Schottky-barrier-gate field effect transistor designed for medium power, linear amplification in the 2 to 8 GHz frequency range. This nominally 0.5 micron gate length GaAs FET is an interdigitated four-cell structure using airbridge interconnects be

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RADIAL LEADED INDUCTORS

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SPU45 SERIES

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更新时间:2025-12-28 16:51:01
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