| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount) Description: The NTE352 is a silicon NPN transistor in a W65 type package designed primarily for use in 12.5V VHF large–signal power amplifier applications required in commercial and industrial FM equipment to 175MHz. Features: ● Specified 12.5V, 175MHz Characteristics: Output Power = 75W | NTE | |||
Square Type 文件:31.46 Kbytes Page:1 Pages | PANASONIC 松下 | |||
Square Type 文件:32 Kbytes Page:1 Pages | PANASONIC 松下 | |||
LinCMOSE DUAL DIFFERENTIAL COMPARATOR 文件:140.77 Kbytes Page:9 Pages | TI 德州仪器 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
11247 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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ONSEMI/安森美 |
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2020-3-25
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