型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2201T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=4.5A) • | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
.100RECEPTACLESTRIPS 文件:265.95 Kbytes Page:1 Pages | ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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NEC |
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NEC |
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