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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2201T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=4.5A) •

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

.100RECEPTACLESTRIPS

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

ADAM-TECH
更新时间:2024-6-16 23:00:01
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