滚动码编码芯片

EG301 是一款滚动码编码芯片，适用于遥控无钥门禁（RKE）系统。EG301 具有高安全性、封装尺寸小、超低待机功耗等特点。芯片内部采用 64 位加密技术，无法破解。小于 1uA 的待机电流，保证电池更长的工作时间。内部集成 EEPROM，可以灵活配置芯片不同的工作状态，EEPROM 数据能够保存 10 年以上。 • 工作电压 3.5V - 13.0V\n\n\n\n• 最大静态电流 < 1uA\n\n\n\n• 内部集成电源管理\n\n\n\n• 自动关闭\n\n\n\n• 片上 EEPROM\n\n\n\n• 可编程 28 位序列号\n\n\n\n• 可编程 64 位加密密钥\n\n\n\n• 密钥不可读\n\n\n\n• 每次发送惟一的滚动编码\n\n\n\n• 4 路按钮输入，15 种按键组合\n\n\n\n• 按键集成内部下拉电阻\n\n\n\n• 滚动编码波特率可选\n\n\n\n• 电池低电压指示\n\n\n\n• 非易失性同步数据\n\n\n\n• 封装：SOP8;

Roll code coding chip

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EG3012 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片

  EG3012是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。\n   EG3012高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。 ·高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V\n ·内建死区控制电路\n ·电源电压欠压关断输出\n ·自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n ·采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力\n ·专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动\n ·HIN 输入通道控制高端HO 输出\n ·LIN 输入通道控制低端LO 输出\n ·外围器件少\n ·静态电流小：4.5mA\n ·封装形式：SOP8;

低压60V半桥驱动芯片

EG3012S 是一款高性价比的大功率 OS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 80V，Vcc 的电源电压范围宽 11V - 30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 15K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 80V\n• 内建死区控制电路\n• 电源电压欠压关断输出\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• 采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力\n• 专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 静态电流小：4.5mA\n• 封装形式：SOP - 8;

Half-Bridge Driver

Features  Floating high side driver in bootstrap operation to +100V, build in bootstrap diode  Internal fixed dead time of 120nS  Cross-conduction prevention logic  800mA source/1000mA sink output current capability  Driving N-channel MOSFETs and IGBTs in a half-bridge configuration  H

包装：散装 描述：SERIAL KEYPAD EXTENSION CABLE 3M 电机，电磁阀，螺线管，驱动器板/模块 配件

HIgh-Power MOS tube driver chip

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HIgh-Power MOS tube driver chip

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HIgh-Power MOS tube driver chip

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HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(3.0A,50-400V)

High Efficiency Rectifiers

Operational Amplifiers

A general purpose operational amplifier that allows the user to choose the compensation capacitor best suited to his needs. With proper compensation, summing amplifier slew rates to 10 V/µs can be obtained. • Low Input Offset Current: 20 nA Maximum Over Temperature Range • External Frequency Com

Operational Amplifiers

A general purpose operational amplifier that allows the user to choose the compensation capacitor best suited to his needs. With proper compensation, summing amplifier slew rates to 10 V/µs can be obtained. • Low Input Offset Current: 20 nA Maximum Over Temperature Range • External Frequency Com

Operational Amplifiers

A general purpose operational amplifier that allows the user to choose the compensation capacitor best suited to his needs. With proper compensation, summing amplifier slew rates to 10 V/µs can be obtained. • Low Input Offset Current: 20 nA Maximum Over Temperature Range • External Frequency Com

30 VOLTS SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES

These devices are designed primarily for high–efficiency UHF and VHF detector applications. They are readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications. They are supplied in an inexpensive plastic package for low–cost, high–volume consumer and industrial/commercial requirem