EFT343晶体管资料
EFT343别名:EFT343三极管、EFT343晶体管、EFT343晶体三极管
EFT343生产厂家:I.P.R.S.Baneasa公司
EFT343制作材料:Ge-PNP
EFT343性质:低频或音频放大 (LF)
EFT343封装形式:直插封装
EFT343极限工作电压:48V
EFT343最大电流允许值:0.25A
EFT343最大工作频率:<1MHZ或未知
EFT343引脚数:3
EFT343最大耗散功率:0.2W
EFT343放大倍数:
EFT343图片代号:C-47
EFT343vtest:48
EFT343htest:999900
- EFT343atest:0.25
EFT343wtest:0.2
EFT343代换 EFT343用什么型号代替:AC128,2N2706,3AX55M,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL POWER MOSFETS N-Channel Power MOSFETs | SAMSUNG 三星 | |||
Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz) Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC = | NTE | |||
High Voltage Operational Amplifier 文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages | NSC 国半 | |||
SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages | TI 德州仪器 | |||
SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages | TI 德州仪器 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTE |
23+ |
39356 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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NTE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
NTE |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
|||
2022+ |
144 |
全新原装 货期两周 |
|||||
NTE |
24+ |
199 |
现货供应 |
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2019-3-2
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