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EFT343晶体管资料

  • EFT343别名:EFT343三极管、EFT343晶体管、EFT343晶体三极管

  • EFT343生产厂家:I.P.R.S.Baneasa公司

  • EFT343制作材料:Ge-PNP

  • EFT343性质:低频或音频放大 (LF)

  • EFT343封装形式:直插封装

  • EFT343极限工作电压:48V

  • EFT343最大电流允许值:0.25A

  • EFT343最大工作频率:<1MHZ或未知

  • EFT343引脚数:3

  • EFT343最大耗散功率:0.2W

  • EFT343放大倍数

  • EFT343图片代号:C-47

  • EFT343vtest:48

  • EFT343htest:999900

  • EFT343atest:0.25

  • EFT343wtest:0.2

  • EFT343代换 EFT343用什么型号代替:AC128,2N2706,3AX55M,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-CHANNEL POWER MOSFETS

N-Channel Power MOSFETs

SAMSUNG

三星

Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)

Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC =

NTE

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

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TI

德州仪器

更新时间:2026-7-22 19:21:02
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