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EFT213晶体管资料

  • EFT213别名:EFT213三极管、EFT213晶体管、EFT213晶体三极管

  • EFT213生产厂家:I.P.R.S.Baneasa公司

  • EFT213制作材料:Ge-PNP

  • EFT213性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • EFT213封装形式:直插封装

  • EFT213极限工作电压:40V

  • EFT213最大电流允许值:3A

  • EFT213最大工作频率:<1MHZ或未知

  • EFT213引脚数:2

  • EFT213最大耗散功率:30W

  • EFT213放大倍数

  • EFT213图片代号:E-44

  • EFT213vtest:40

  • EFT213htest:999900

  • EFT213atest:3

  • EFT213wtest:30

  • EFT213代换 EFT213用什么型号代替:AD149,2N4241,3AD56A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Amlifier Transistors (PNP)

Amplifier Transistors PNP Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

丝印代码:D213;DUAL CHANNEL SMALL OUTLINE OPTOISOLATOR TRANSISTOR OUTPUT

This device consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes optically coupled to two monolithic silicon phototransistor detectors, in a surface mountable, small outline, plastic package. It is ideally suited for high density applications and eliminates the need for through–the–board moun

MOTOROLA

摩托罗拉

Germanium PNP Transistor High Power, High Gain Amplifier

Description: The NTE213 is a germanium PNP power transistor in a TO36 type package designed high–power, high–gain applications in high–reliability industrial equipment.

NTE

TRISILTM

DESCRIPTION The SMTPBxx series has been designedto protect telecommunication equipment against lightning and transient induced by AC power lines. FEATURES BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGE RANGE: From 62 V To 270 V. HOLDING CURRENT: IH= 150 mA min REPETITIVE PE

STMICROELECTRONICS

意法半导体

1024- 횞 512-pixel ccd image sensor

文件:325.65 Kbytes Page:21 Pages

TI

德州仪器

更新时间:2026-7-22 21:38:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CSR
26+
BGA
20000
公司只有正品,实单来谈
FAIRCHILD
24+/25+
410
原装正品现货库存价优
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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    2019-3-2