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EFA480C-CP083

Low Distortion GaAs Power FET

FEATURES • NON-HERMETIC SURFACE MOUNT 160MIL METAL CERAMIC PACKAGE • +33.5 dBm OUTPUT POWER AT 1dB COMPRESSION • 16.0 dB GAIN AT 2 GHz • 0.5x4800 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE • Si3N4 PASSIVATION • ADVANCED EPITAXIAL HETEROJUNCTION PROFILE PROVIDES EXTRA HIGH POWER EFFICIENCY, AND HIGH REL

EXCELICS

High Efficiency Heterojunction Power FET

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EXCELICS

EFA480C-CP083产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EFA480C-CP083

  • 制造商

    EXCELICS

  • 制造商全称

    EXCELICS

  • 功能描述

    Low Distortion GaAs Power FET

更新时间:2026-1-28 9:17:00
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