| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Microwave Power Silicon NPN Transistor Microwave Power Silicon NPN Transistor Description and Applications Designed for 960–1215 MHz long or short pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode–S transmitters. Features • Guaranteed performance @ 960-1215MHz, 36Vdc • Output power: 30W peak • Minimum gain: 9.0dB min., 9.5dB typ. • 100 tested for load mi | MA-COM |   | ||
MICROWAVE POWER TRANSISTOR Designed for 960–1215 MHz long or short pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode–S transmitters. • Guaranteed Performance @ 960 MHz, 36 Vdc Output Power = 30 Watts Peak Minimum Gain = 9.0 dB Min (9.5 dB Typ) • 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with | Motorola 摩托罗拉 | | ||
Nylon PCB Supports - Imperial Spacing 文件：111.86 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
Optical Components for Optical Measurement 文件：1.85753 Mbytes Page：28 Pages | HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社 | | ||
Programmable Controllers 文件：2.48039 Mbytes Page：24 Pages | Panasonic 松下 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MOTOROLA |
23+ |
高频管 |
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