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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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EDJ1108BDSE | 1G bits DDR3 SDRAM 文件：1.86831 Mbytes Page：147 Pages | ELPIDA 尔必达 |   | |
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1G bits DDR3 SDRAM 文件：1.86831 Mbytes Page：147 Pages | ELPIDA 尔必达 | | ||
Silicon RF switches DESCRIPTION These switches are a combination of a depletion type field-effect transistor and a bandswitching diode in an SOT143B (BF1108) or SOT143R (BF1108R) package. The low loss and high isolation capabilities of these devices provide excellent RF switching functions. The gate of the MOSFET ca | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Silicon RF switches DESCRIPTION These switches are a combination of a depletion type field-effect transistor and a bandswitching diode in an SOT143B (BF1108) or SOT143R (BF1108R) package. The low loss and high isolation capabilities of these devices provide excellent RF switching functions. The gate of the MOSFET ca | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Melody IC
| NPC | | ||
Optocoupler with Phototransistor Output DESCRIPTION The TCET110. consists of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 4-lead plastic dual inline package. FEATURES • High common mode rejection • Low temperature coefficient of CTR • CTR offered in 9 groups • Reinforced isolation provides | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
SOLID STATE I/O INTERFACE MODULE (DC INPUT MODULE) 文件：164.19 Kbytes Page：3 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
EDJ1108BDSE产品属性
- 类型
描述
- 型号
EDJ1108BDSE
- 制造商
ELPIDA
- 制造商全称
Elpida Memory
- 功能描述
1G bits DDR3 SDRAM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ELPLDA |
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