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EDI8L32512C12AC

512Kx32CMOSHighSpeedStaticRAM

DESCRIPTION TheEDI8L32512Cisahighspeed,5V,16MbSRAM.Thedeviceisavailablewithaccesstimesof12,15,17and20nsallowingthecreationofanowaitstateDSPmemorysolution.Thehighspeed,5vsupplyvoltageandcontrollinesmakethediviceidealforcreatingfloatingpointDSPme

WEDCWhite Electronic Designs Corporation

Microsemi Corporation(上海)

WEDC
更新时间:2024-5-31 9:36:00
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