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EDI8810HL

Low Power 6T CMOS Monolithic SRAM

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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

TUOFENG

拓锋半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3M

EDI8810HL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EDI8810HL

  • 功能描述

    Low Power 6T CMOS Monolithic SRAM

更新时间:2025-11-23 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
DIP
2
WHITE
三年内
1983
只做原装正品
EDI
9043
4
优势货源原装正品
EDI
1922+
DIP28
8200
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多
EDI
24+
LCC
200
进口原装正品优势供应
EDI
23+
CLCC32
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
NA
9620+
NA
26
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NA
2023+
NA
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
EDI
2318+
DIP
4862
只做进口原装!假一赔百!自己库存价优!
24+
DIP
6980
原装现货,可开13%税票

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