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EDI8810HL

Low Power 6T CMOS Monolithic SRAM

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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

TUOFENG

拓锋半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3M

EDI8810HL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EDI8810HL

  • 功能描述

    Low Power 6T CMOS Monolithic SRAM

更新时间:2026-3-13 9:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
WHITE
三年内
1983
只做原装正品
EDI
25+
105500
原装现货,特价销售
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23+
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12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
NA
2023+
NA
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

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