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Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns

Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha

NTE

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更新时间:2026-3-14 22:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
OTAX
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
NTE
23+
65480
SANYO
24+
TO-3P
36500
原装现货/放心购买
NTE
2450+
TO-3P
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
SANYO/三洋
24+
TO-3P
39197
郑重承诺只做原装进口现货
OTAX
DIP-3
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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26+
原厂原封装
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
原装
1923+
TO-3P
8900
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询
NTE
23+
TO-3
39250
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
51000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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