ECG343晶体管资料
ECG343别名：ECG343三极管、ECG343晶体管、ECG343晶体三极管
ECG343生产厂家：荷兰飞利浦公司
ECG343制作材料：Si-NPN
ECG343性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
ECG343封装形式：
ECG343极限工作电压：24V
ECG343最大电流允许值：3.5A
ECG343最大工作频率：<1MHZ或未知
ECG343引脚数：
ECG343最大耗散功率：50W
ECG343放大倍数：
ECG343图片代号：NO
ECG343vtest：24
ECG343htest：999900
- ECG343atest：3.5
ECG343wtest：50
ECG343代换 ECG343用什么型号代替：NTE343,2SC1972,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL POWER MOSFETS N-Channel Power MOSFETs | SAMSUNG 三星 |   | ||
Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz) Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC = | NTE | | ||
High Voltage Operational Amplifier 文件：228.44 Kbytes Page：12 Pages | NSC 国半 | | ||
SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages | TI 德州仪器 | | ||
SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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