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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. | CET 华瑞 |   | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. | CET 华瑞 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.24964 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
ECG1195产品属性
- 类型
描述
- 型号
ECG1195
- 制造商
NTE Electronics
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FH/风华高科 |
24+ |
N/A |
80000 |
公司现货库存,支持实单 |
|||
CET/華瑞 |
24+ |
NA/ |
3444 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
CET |
25+ |
TO-220F |
17 |
原装正品,假一罚十! |
|||
CET/華瑞 |
10+ |
TO-220F |
194 |
||||
CET/華瑞 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
CET |
TO-220F |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
CET |
25+23+ |
TO-220 |
28598 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
CET/華瑞 |
23+ |
TO-220F |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
CET/華瑞 |
2022+ |
TO-220F |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
CET/華瑞 |
20+ |
TO-220F |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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