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CEB1195	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司
CEB1195	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEF1195	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
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CEF1195	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：1.24964 Mbytes Page：4 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

LT1195产品属性

类型
描述
型号
LT1195
功能描述
IC OP-AMP LOW-PWR HI-SPEED 8-DIP
RoHS
否
类别
集成电路(IC) >> 线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器
系列
-
标准包装
1,000
系列
-
应用
驱动器
输出类型
差分
电路数
3
-3db带宽
350MHz
转换速率
1000 V/µs 电流 -
电源
14.5mA 电流 -
输出/通道
60mA 电压 -
电源，单路/双路(±)
5 V ~ 12 V，±2.5 V ~ 6 V
安装类型
表面贴装
封装/外壳
20-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装
20-QFN 裸露焊盘（4x4）
包装
带卷(TR)

LT1195供应商更多...

更新时间：2025-8-4 13:30:00

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