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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ECC03N50T

MOSFET

E-CMOS

飞虹高科

N-Channel Enhancement

InPower Product Lines

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.0755 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 

文件:124.45 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件:418.46 Kbytes Page:10 Pages

SAMHOP

三合微科

ECC03N50T产品属性

  • 类型

    描述

  • Configure:

    Dual

  • MOSFET TyEC:

    N+N

  • V DS(V):

    500

  • V GS(V):

    ±30

  • V th (V):

    3/4/5

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    2600/3600

  • Ciss(pF):

    440

  • Coss (pF):

    35

  • Crss(pF):

    4

  • Qg (nC)=10V:

    10

  • Qgs (nC):

    2.6

  • Qgd (nC):

    3.2

  • Rg W:

    1.6

  • EAS(mJ):

    13

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    3

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    1.9

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    63

  • ESDDiode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

更新时间:2026-5-25 11:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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