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ECB2R1M12YM3

1200 V, 2.1 mΩ, Silicon Carbide, Six-Pack Module

Technical Features • Fully SiC MOSFET-based for Ultra-Low Loss • Comparative Tracking Index (CTI) > 600 V for Material Group I • Extremely Low Power Loop Inductance (6.6 nH) • High Performance Si3N4 Insulator • Ultra-Reliable Interconnect Technologies • AQG-324 Qualification Typical Appl

WOLFSPEED

ECB2R1M12YM3

分立式 MOSFET

WOLFSPEED

更新时间:2025-11-17 20:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICRON/美光
24+
NA
20000
美光专营原装正品
Micron/镁光
24+
Die
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
Micron/镁光
2021+
Die
7000
只做原装,可提供样品
MICRON/镁光
23+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
ABRACON
2450+
SSOP24
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
Micron/镁光
21+
Die
8080
只做原装,质量保证
MICRON/美光
24+
20000
郑重承诺只做原装进口现货
Amprobe
5
全新原装 货期两周
Micron/镁光
24+
Die
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
中性
DIP
50000

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