| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels | IRF |   | ||
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2012-12-6
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