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PACKAGED HIGH DYNAMIC RANGE PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP7612P70 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-write 0.25 mm by 200 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” Ti/Pt/Au g

FILTRONIC

HI-FREQUENCY PACKAGED PHEMT

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FILTRONIC

更新时间:2025-12-28 17:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RFMD
01+
P70
500
原装现货支持BOM配单服务
微源
24+
N/A
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十
微源
24+
N/A
5000
全新原装正品,现货销售
LP
24+
DIP-16
3070
LOWPOWER(微源半导体)
2447
ESOP-8
105000
4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
LOWPOWER
10
LOWPOWER
24+
con
10
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
LOWPOWER(微源半导体)
25+
ESOP-8
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
LP
25+
DIP
4500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
微源
21+
N/A
164000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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