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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -20V , -4.3A , RDS(ON)=90mΩ @VGS=-4.5V. RDS(ON)=140mΩ @VGS=-2.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface Mount Package.

CET

华瑞

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.6 Ampere FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * High power and current handing capability. * Lead free product is acquired. APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switchi

CHENMKO

力勤

50V CERAMIC DISC

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NTE

Advanced PMU for CoreLogic LUCY

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ACTIVE-SEMIActive-Semi, Inc

技领半导体技领半导体(上海)有限公司

Advanced PMU for CoreLogic LUCY

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ACTIVE-SEMIActive-Semi, Inc

技领半导体技领半导体(上海)有限公司

更新时间:2025-12-27 13:08:01
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