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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 0.12Ω ■ HIGH CURRENT POWER MODULE ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ VERY LARGE SOA - LARGE PEAK POWER CAPABILITY ■ EASY TO MOUNT ■ SAME CURRENT CAPABILITY FOR THE TWO SOURCE TERMINALS ■ EXTREMELY LOW Rth (Junction to ca

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-3-13 9:19:01
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