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LH28F800	8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories DESCRIPTION The LH28F800SG-L/SGH-L flash memories with SmartVoltage technology are high-density, low-cost, nonvolatile, read/write storage solution for a wide range of applications. The LH28F800SG-L/SGH-L can operate at VCC = 2.7 V and VPP = 2.7 V. Their low voltage operation capability realizes	SHARPSharp Corporation 夏普	SHARP
LH28F800BG	8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memory DESCRIPTION The LH28F800SG-L flash memory with Smart Voltage technology is a high-density, low-cost, nonvolatile, read/write storage solution for a wide range of applications. The LH28F800SG-L can operate at VCC = 2.7 V and VPP = 2.7 V. Its low voltage operation capability realizes longer battery	SHARPSharp Corporation 夏普	SHARP
LH28F800BGH-L	8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories DESCRIPTION The LH28F800BG-L/BGH-L flash memories with SmartVoltage technology are high-density, low-cost, nonvolatile, read/write storage solution for a wide range of applications. The LH28F800BG-L/BGH-L can operate at VCC = 2.7 V and VPP = 2.7 V. Their low voltage operation capability realizes	SHARPSharp Corporation 夏普	SHARP
LH28F800BGB-L	8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories 文件：275.91 Kbytes Page：43 Pages	SHARPSharp Corporation 夏普	SHARP
LH28F800BGH-L	8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories 文件：275.91 Kbytes Page：43 Pages	SHARPSharp Corporation 夏普	SHARP

E28F800CVB供应商更多...

更新时间：2026-3-13 22:50:02

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E220-400M22S 是亿佰特（EBYTE）推出的一款工作于400MHz 频段的 LoRa 无线通信模块，基于 Semtech LoRa 技术设计，聚焦远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于工业物联网、智能农业、智慧城市等场景。
E220-400M22S 亿佰特（EBYTE）
2025-11-4
E22-400T30S 是由亿佰特（EBYTE）推出的一款基于LoRa 扩频技术的无线通信模块，工作于400MHz 频段，主打远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于物联网（IoT）、远程数据采集、工业控制等场景。
E22-400T30S 是亿佰特（EBYTE） 800000PCS
2025-11-4
E2AM12LS04M1B1
E2AM12LS04M1B1
2022-9-7
E2A-S12KS04-WP-B12M原装特价现货出售
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2022-7-11
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2019-8-14
E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述该Edge211是一个双三元司机在制造电压CMOS全过程。它是专为自动测试设备和仪器在成本，功能密度和电源都处于溢价。每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一终止电压或特殊的编程电压。该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏，低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。特点 •100 MHz运行 •12V的
2013-3-5