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E28F008S3-120	BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT INTRODUCTION This datasheet contains 4-, 8-, and 16-Mbit 3 Volt FlashFile memory specifications. Section 1.0 provides a flash memory overview. Sections 2.0, 3.0, 4.0, and 5.0 describe the memory organization and functionality. Section 6.0 covers electrical specifications for commercial and extend	Intel 英特尔	Intel
G28F008S3-120	BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT INTRODUCTION This datasheet contains 4-, 8-, and 16-Mbit 3 Volt FlashFile memory specifications. Section 1.0 provides a flash memory overview. Sections 2.0, 3.0, 4.0, and 5.0 describe the memory organization and functionality. Section 6.0 covers electrical specifications for commercial and extend	Intel 英特尔	Intel
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E28F008S3-120供应商更多...

更新时间：2025-10-18 11:38:00

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深圳市一线半导体有限公司	E28F008S3-120-3.3v		24+	TSSOP	366		询价

E2AM12LS04M1B1
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2022-9-7
E2A-S12KS04-WP-B12M原装特价现货出售
E2A-S12KS04-WP-B12M
2022-7-11
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2021-11-16
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E104-035R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26
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深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2019-8-14
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描述该Edge211是一个双三元司机在制造电压CMOS全过程。它是专为自动测试设备和仪器在成本，功能密度和电源都处于溢价。每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一终止电压或特殊的编程电压。该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏，低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。特点 •100 MHz运行 •12V的
2013-3-5