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芯片资料

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E211E	E200ESERIES 文件：271.9 Kbytes Page：2 Pages	MPD MPD (Memory Protection Devices)
211	ShuguangVacuumTube211 DESCRIPTION Directedheatcathode,211triodecanbeusedinclassA,B,Camplifyingstage.211vacuumtubeis compatiblewithGL-211,UV-211andcanbereplacedeachother.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
211	DirectreplacementforT3쩌MidgetEdisonScrewE10 文件：281.7 Kbytes Page：5 Pages	MARL Marl International Ltd
211	ModularRadioTelemetrySystem 文件：396.37 Kbytes Page：11 Pages	RFSOLUTIONSrfsolutions.ltd rfsolutions.ltd
211	M8Female4PinFieldAttachable 文件：178.27 Kbytes Page：2 Pages	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
211D	Type211DWetTantalumCapacitorArraywithTantalumCased 文件：81.48 Kbytes Page：3 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技

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更新时间：2024-4-27 10:12:00

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2022-9-7
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2022-7-11
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2021-11-16
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2019-11-26
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2019-8-14
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描述该Edge211是一个双三元司机在制造电压CMOS全过程。它是专为自动测试设备和仪器在成本，功能密度和电源都处于溢价。每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别-一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一终止电压或特殊的编程电压。该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏，低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案100兆赫及以下针电子应用。特点•100MHz运行•12V的
2013-3-5