| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
45 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor Description The 20151 is a class AB, NPN common emitter RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 45 watts minimum output power for PEP applications, it is specifically intended for operation as a final or driver stage in CDMA or TDMA systems. Ion implantatio | Ericsson 爱立信 |   | ||
PELTIER MODU LE 文件：146.5 Kbytes Page：3 Pages | CUI | | ||
2.0 A PELTIER MODULE 文件：289.13 Kbytes Page：5 Pages | CUI | | ||
SPARK QUENCHER 文件：86.02 Kbytes Page：1 Pages | OKAYA | | ||
SPARK QUENCHER 文件：332.51 Kbytes Page：1 Pages | OKAYA | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-9-7E2A-S12KS04-WP-B12M原装特价现货出售
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E104-035R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26E07040K0A全新原装现货
可立即发货
2019-9-24E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述 该Edge211是一个双三元司机在制造 电压CMOS全过程。它是专为自动 测试设备和仪器在成本，功能 密度和电源都处于溢价。 每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一 终止电压或特殊的编程电压。 该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏， 低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。 特点 •100 MHz运行 •12V的
2013-3-5
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