| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg,High dv/dt Features • IXYS advanced low Qg process • International standard packages • Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification • Low RDS (on) low Qg • Avalanche energy and current rated • Fast intrinsic rectifier Advantages • Ea | IXYS 艾赛斯 |   | ||
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg,High dv/dt Features • IXYS advanced low Qg process • International standard packages • Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification • Low RDS (on) low Qg • Avalanche energy and current rated • Fast intrinsic rectifier Advantages • Ea | IXYS 艾赛斯 | | ||
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg,High dv/dt Features • IXYS advanced low Qg process • International standard packages • Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification • Low RDS (on) low Qg • Avalanche energy and current rated • Fast intrinsic rectifier Advantages • Ea | IXYS 艾赛斯 | | ||
Polar Power MOSFET HiPerFET Polar™ Power MOSFET HiPerFET™ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International standard packages • Fast recovery diode • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mo | IXYS 艾赛斯 | | ||
HiPerFET Power MOSFETs Features ● International standard packages ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ● Low package inductance - easy to drive and to protect ● Fast intrinsic Rectifier Applications ● DC-DC converters ● Battery c | IXYS 艾赛斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
09+ |
TO-247 |
77 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO-247 |
32360 |
IXYS/艾赛斯全新特价IXFH15N100Q即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
原装 |
最新 |
NA |
9200 |
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
60606 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
APPDEFAULT |
23+ |
NA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS |
25+23+ |
TO-247 |
53199 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
26+ |
TO-247 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
E15N100规格书下载地址
E15N100参数引脚图相关
- flotherm
- finder继电器
- fc114
- fangtek
- f83
- f411
- f4031
- f338
- F330
- f133
- f1212
- ex128
- et600
- ESD
- ep9315
- ep1c3t144c8n
- EMI滤波器
- em35
- EDA
- e251
- E183209
- E-183
- E1820H
- E1820
- E1815H
- E1815
- E180F
- E1736A
- E1735A
- E1720H
- E1720
- E1715H
- E1715
- E1713AA
- E16PBG
- E16PB
- E16-CL
- E16-3F3
- E15TS-06
- E-15-ST-PA-S
- E-15SLA-1/2
- E15S4805
- E15S1500K2
- E15S1500K
- E15S1500
- E15S1000UK
- E15S1000N
- E15S1000M
- E15S1000K2
- E15S1000K
- E15S1000
- E15S
- E15R8PQ
- E15R8
- E15-R72-KRVP
- E15NA100
- E15N60TRPBF
- E15N60
- E15N50
- E15N10
- E15j9
- E15D8G2F-155520MTR
- E15D8G2F-155520M
- E15D8G2F-155.520MTR
- E15D8G2F-155.520M
- E15D8D2F-155520MTR
- E15D8D2F-155520M
- E15D8D2F-155.520MTR
- E15D8D2F-155.520M
- E15D8D2F-125.000M
- E15D8C2F-155520MTR
- E15D8C2F-155520M
- E15D8C2F-155.520MTR
- E15D8C2F-155.520M
- E15D8
- E15D500
- E15CT
- E15C7J2F-53.125M
- E15C7J2F-155520MTR
- E15C7
- E1532S
- E-153
- E152EI
- E1525A
- E1524S
- E1524A
- E1523A
- E1522S
- E1520H
- E1520
- E-152
- E151EI
- E1515XS
- E151-5V
- E1515H
- E1515
- E1514S
E15N100数据表相关新闻
E220-400M22S 是亿佰特（EBYTE）推出的一款工作于400MHz 频段的 LoRa 无线通信模块，基于 Semtech LoRa 技术设计，聚焦远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于工业物联网、智能农业、智慧城市等场景。
E220-400M22S 亿佰特（EBYTE）
2025-11-4E22-400T30S 是由亿佰特（EBYTE）推出的一款基于LoRa 扩频技术的无线通信模块，工作于400MHz 频段，主打远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于物联网（IoT）、远程数据采集、工业控制等场景。
E22-400T30S 是亿佰特（EBYTE） 800000PCS
2025-11-4E101SD1CBE
E101SD1CBE
2021-11-16E104-035R
E104-035R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26E07040K0A全新原装现货
可立即发货
2019-9-24E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述 该Edge211是一个双三元司机在制造 电压CMOS全过程。它是专为自动 测试设备和仪器在成本，功能 密度和电源都处于溢价。 每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一 终止电压或特殊的编程电压。 该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏， 低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。 特点 •100 MHz运行 •12V的
2013-3-5
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
- P108
- P109
- P110
