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ZXT13N50DE6TC中文资料

厂家型号

ZXT13N50DE6TC

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6

功能描述

50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT 50V NPN SuperSOT4

数据手册

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生产厂商

DIODES

ZXT13N50DE6TC数据手册规格书PDF详情

Features

• BVCEO > 50V

• IC = 4A Continuous Collector Current

• ICM = 10A Peak Pulse Current

• RCE(SAT) = 36mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• Low Saturation Voltage (100mV max @ 1A)

• hFE Characterized up to 10A

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

Applications

• DC–DC Converters

• Power Management Functions

• Power Switches

• Motor Control

ZXT13N50DE6TC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZXT13N50DE6TC

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 50V NPN SuperSOT4

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES
25+
SOT-23-6
3675
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DIODES/ZETEX
23+
原厂封装
13528
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SOT236
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120000
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ZETEX/DIODES
22+
SOT-23-6
100000
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ZETEX/D
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SOT-23-
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ZETEX
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3000