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ZTX600中文资料

厂家型号

ZTX600

文件大小

80.52Kbytes

页面数量

3

功能描述

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

达林顿晶体管 -

数据手册

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生产厂商

DIODES

ZTX600数据手册规格书PDF详情

FEATURES

* 160 Volt VCEO

* 1 Amp continuous current

* Gain of 5K at IC=1 Amp

* Ptot= 1 Watt

ZTX600产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZTX600

  • 功能描述

    达林顿晶体管 -

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES
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5000
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Diodes(美台)
2511
标准封装
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ZTX600 晶体管资料

  • ZTX600(A,B)别名:ZTX600(A,B)三极管、ZTX600(A,B)晶体管、ZTX600(A,B)晶体三极管

  • ZTX600(A,B)生产厂家

  • ZTX600(A,B)制作材料:Si-N+Darl

  • ZTX600(A,B)性质:通用型 (Uni)

  • ZTX600(A,B)封装形式

  • ZTX600(A,B)极限工作电压:160V

  • ZTX600(A,B)最大电流允许值:1A

  • ZTX600(A,B)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • ZTX600(A,B)引脚数

  • ZTX600(A,B)最大耗散功率:1W

  • ZTX600(A,B)放大倍数:β>2000

  • ZTX600(A,B)图片代号:NO

  • ZTX600(A,B)vtest:160

  • ZTX600(A,B)htest:999900

  • ZTX600(A,B)atest:1

  • ZTX600(A,B)wtest:1

  • ZTX600(A,B)代换 ZTX600(A,B)用什么型号代替:2SD1579,2SD1659,