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DNLS320E-13中文资料

厂家型号

DNLS320E-13

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4

功能描述

LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT NPN 1W

数据手册

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生产厂商

DIODES

DNLS320E-13数据手册规格书PDF详情

Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 80mΩ at 3A

• High DC Current Gain hFE > 400 at IC = 2A

• Complementary PNP Type Available (DPLS325E)

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

• Green Device (Note 2)

DNLS320E-13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DNLS320E-13

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 1W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-3-10 9:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品 可含税交易
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DNLS320E-13 价格

参考价格:¥1.2842

型号:DNLS320E-13 品牌:Diodes 备注:这里有DNLS320E-13多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,DNLS320E-13批发/采购报价,DNLS320E-13行情走势销售排排榜,DNLS320E-13报价。