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DMN66D0LW-7中文资料

厂家型号

DMN66D0LW-7

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157.47Kbytes

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4

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

MOSFET NMOS-SINGLE

数据手册

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生产厂商

DIODES

DMN66D0LW-7数据手册规格书PDF详情

Features

• Low On-Resistance

• Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Small Surface Mount Package

• ESD Protected Gate, 1KV (HBM)

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

DMN66D0LW-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMN66D0LW-7

  • 功能描述

    MOSFET NMOS-SINGLE

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-31 9:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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