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厂家型号	DMN2170U
文件大小	157.11Kbytes
页面数量	4页
功能描述	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	DIODES

Features

• Low On-Resistance

• 70mΩ @VGS = 4.5V

• 100mΩ @VGS = 2.5V

• 170mΩ @VGS = 1.5V

• Very Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant

Green Device (Notes 2, 3 and 6)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• ESD Protected Gate

DMN2170U供应商...

更新时间：2025-11-3 11:15:00

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