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DMG4406LSS中文资料

厂家型号

DMG4406LSS

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232.41Kbytes

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6

功能描述

This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

MOSFET N-Ch ENH 30V 11mOhm 10.3A 10V VGS

数据手册

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生产厂商

DIODES

DMG4406LSS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMG4406LSS

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch ENH 30V 11mOhm 10.3A 10V VGS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-1 10:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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DMG4406LSS-13 价格

参考价格:¥0.4730

型号:DMG4406LSS-13 品牌:Diodes 备注:这里有DMG4406LSS多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,DMG4406LSS批发/采购报价,DMG4406LSS行情走势销售排排榜,DMG4406LSS报价。