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2DD2150R-13中文资料

厂家型号

2DD2150R-13

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功能描述

NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT 1000W 20Vceo

数据手册

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生产厂商

DIODES

2DD2150R-13数据手册规格书PDF详情

Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

• Green Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

2DD2150R-13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2DD2150R-13

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1000W 20Vceo

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-3 18:35:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
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