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DXT751Q-13

60V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR

Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -3A High Continuous Collector Current • ICM up to -6A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Complementary PNP Type: DXT651Q • T

DIODES

美台半导体

DXT751Q-13

封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

更新时间:2025-8-16 23:01:00
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