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DXT651Q	60VNPNLOWSATURATIONPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features •BVCEO>60V •IC=3AHighContinuousCollectorCurrent •ICMupto6APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DXT651Q-13	60VNPNLOWSATURATIONPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features •BVCEO>60V •IC=3AHighContinuousCollectorCurrent •ICMupto6APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DXT651Q-13	封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）描述：TRANS NPN 60V 3A SOT89-3 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
651BMLF	LOWSKEW1TO4CLOCKBUFFER Description TheICS651Bisalowskew,singleinputtofouroutput,clockbuffer.PartofIDT’sClockBlocksTMfamily,thisisalowskew,smallclockbuffer. IDTmakesmanynon-PLLandPLLbasedlowskewoutputdevicesaswellasZeroDelayBufferstosynchronizeclocks.Contactusforallofyo	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
651BMLFT	LOWSKEW1TO4CLOCKBUFFER Description TheICS651Bisalowskew,singleinputtofouroutput,clockbuffer.PartofIDT’sClockBlocksTMfamily,thisisalowskew,smallclockbuffer. IDTmakesmanynon-PLLandPLLbasedlowskewoutputdevicesaswellasZeroDelayBufferstosynchronizeclocks.Contactusforallofyo	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
651	횠12.7mmmountingBlackanodisedaluminiumhousing 文件：430.87 Kbytes Page：5 Pages	MARL Marl International Ltd
651	IntelPentium4Processor 文件：4.21967 Mbytes Page：106 Pages	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
651H	600Hand600NHseries 文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

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更新时间：2024-5-19 8:30:00

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深圳市威雅利发展有限公司	DXT651Q-13	实库DIODES厡裝現貨	2103+	SOT89	260000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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2019-11-8

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