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DWP5

Rectifier Diodes & FRED

文件:765.32 Kbytes Page:22 Pages

IXYS

艾赛斯

MOSFET

Power Metal Strip® Battery Shunt Resistor With M4 Tapped Holes and Sn Plated Terminals,Very Low Value(50 μΩ,100μΩ,125μΩ and 250μΩ) ·AEC-Q200 qualified\n·Compliant with requirement #26 of NF-EN45545-2\n·Hifh power 600 W at 85℃ bottom case temperature;

Dowellsemi

Rectifier Diodes & FRED

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IXYS

艾赛斯

DWP5产品属性

  • 类型

    描述

  • Type:

    N-CH

  • ESD Diode:

    NO

  • VDS(V):

    80

  • ID(A)25℃:

    110

  • VGS(V):

    ±20

  • VTH typ(V)@ID=250μA:

    3.0

  • RDS(on)@10V(mΩ typ):

    5.0

  • RDS(on)@4.5V(mΩ typ):

    --

  • RDS(on)@3.3V(mΩ typ):

    --

  • RDS(on)@2.5V(mΩ typ):

    --

  • Ciss(pF):

    3530

  • Coss(pF):

    1110

  • Crss(pF):

    19

更新时间:2026-8-1 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
QFP
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。13008842056 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。3160836686 微信号:15096137729。13008842056

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