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DMN601K-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance: RDS(ON) • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected Up To 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qu	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601K-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：191.82 Kbytes Page：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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更新时间：2025-11-5 13:48:01

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2023-3-18
DW01C-G
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2022-8-4
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2019-11-5
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只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14