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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -20V , -4.3A , RDS(ON)=90mΩ @VGS=-4.5V. RDS(ON)=140mΩ @VGS=-2.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface Mount Package.

CET

华瑞

InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODES

DESCRIPTION PD8XX3 series are InGaAs avalanche photodiode which has a sensitive area of φ35 µ m, PD8XX3 is suitable for receiving the light having a wavelength band of 1000 to 1600nm. This photodiode features low noise, a high quantum efficiency and a high speed response is suitable for the light

MITSUBISHI

三菱电机

Class D audio amplifier

ETC

知名厂家

Class D audio amplifier

ETC

知名厂家

50V CERAMIC DISC

文件:14.98 Kbytes Page:1 Pages

NTE

更新时间:2026-3-18 20:23:01
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    2019-11-4
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    DTT6C04A 深圳市拓亿芯电子有限公司,本公司具备一般纳税人,可开16点增值税票, 货源渠道保证原厂原装正品IC,诚信为本,薄利多销。

    2019-3-7