| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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DTU40N06 | TrenchFET Power MOSFET 文件:278.63 Kbytes Page:7 Pages | DINTEK 尚鼎芯 | ||
DTU40N06 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 文件:1.56017 Mbytes Page:7 Pages | DINTEK 尚鼎芯 | ||
DTU40N06 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:2.36036 Mbytes Page:5 Pages | DOINGTER 杜因特 | ||
DTU40N06 | N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件:899.15 Kbytes Page:6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | ||
DTU40N06 | N Channel MOSFET | TEK | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 文件:1.56017 Mbytes Page:7 Pages | DINTEK 尚鼎芯 | |||
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired | UMW 友台半导体 | |||
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The 40N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology | EVVOSEMI 翊欧 | |||
Fast Switching 文件:68.1 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件:897.86 Kbytes Page:6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
38A竊?0V N-CHANNEL MOSFET 文件:196.75 Kbytes Page:5 Pages | KIA 可易亚半导体 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DINGDAY |
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原装现货/放心购买 |
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23+ |
TO-252 |
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鼎日 |
24+ |
TO-252(DPAK) |
30000 |
只做正品原装现货 |
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VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO252 |
60000 |
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DTU |
24+ |
TO252 |
8600 |
正品原装,正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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TO-252 |
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现货,原厂原装假一罚十! |
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日本鼎日优势※ |
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25+ |
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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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DINGDAY |
24+ |
TO-252 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
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DINGDAY |
18+ |
TO-252 |
85600 |
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2019-3-7
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