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DTC343TC晶体管资料

  • DTC343TC,TK别名:DTC343TC,TK三极管、DTC343TC,TK晶体管、DTC343TC,TK晶体三极管

  • DTC343TC,TK生产厂家

  • DTC343TC,TK制作材料:Si-N+R

  • DTC343TC,TK性质:表面帖装型 (SMD)

  • DTC343TC,TK封装形式:贴片封装

  • DTC343TC,TK极限工作电压:30V

  • DTC343TC,TK最大电流允许值:0.6A

  • DTC343TC,TK最大工作频率:<1MHZ或未知

  • DTC343TC,TK引脚数:3

  • DTC343TC,TK最大耗散功率:0.3W

  • DTC343TC,TK放大倍数

  • DTC343TC,TK图片代号:A-15

  • DTC343TC,TKvtest:30

  • DTC343TC,TKhtest:999900

  • DTC343TC,TKatest:0.6

  • DTC343TC,TKwtest:0.3

  • DTC343TC,TK代换 DTC343TC,TK用什么型号代替:DTD143TK,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-CHANNEL POWER MOSFETS

N-Channel Power MOSFETs

SAMSUNG

三星

Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)

Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC =

NTE

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

DTC343TC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DTC343TC

  • 功能描述

    TRANSISTOR | 15V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23

更新时间:2026-3-18 17:45:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NTE
23+
39356
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NTE
24+
199
现货供应
NTE
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
NTE
1923+
原厂封装
8600
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多
24+
N/A
62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
2022+
144
全新原装 货期两周

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