| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels | IRF |   | ||
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N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：21.39 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | | ||
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N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：14.59 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO-247 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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VISHAY/威世 |
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TO247 |
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十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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IR |
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TO-247AC |
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IR/国际整流器 |
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IR |
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IR |
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TO-247-3 |
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IR |
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TO-247 |
6200 |
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IR |
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IR |
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原厂原封装 |
86720 |
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IR |
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TO-3P |
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原装正品,假一罚十 |
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2020-2-28
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