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DTA123EM3T5G	Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The digital transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of tw	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA123EM3T5G	Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k 文件：133.25 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA123EM3T5G	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：103.89 Kbytes Page：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA123EM3T5G	Digital Transistors (BRT) 文件：176.35 Kbytes Page：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA123EM3T5G	封装/外壳：SOT-723 包装：卷带（TR）描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC123EM3T5G	Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k 文件：103.57 Kbytes Page：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2025-9-23 20:34:00

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DT1446-04TS-7
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2023-4-7
DTB143EG-SOT23.3R-TG_UTC代理商
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2023-2-2
DTA123JG-SOT23.3R-TG
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2023-2-1
DTA143TL-SOT323R-TG
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2023-2-1
DTA113ZKAT146
DTA113ZKAT146ROHM30001628+SOT-23原盘原标优势现货
2021-9-17
DT74FCT162244ATPF-缓冲器/驱动器
描述：该FCT162244T16位缓冲器/线路驱动器，是用于总线接口或信号缓冲适用于需要高速和低功耗。这些通过引脚器件有一个组织流程，简化和收缩包装电路板布局。所有输入的设计与改进的噪声容限的滞后。三态控制允许独立的4位，8位或联合16位运作。这些部分在哪里更换插头54/74ABT16244更高的速度，更低的噪音和低功耗水平的需要。该FCT162244T有平衡输出电流水平和电流限制电阻。这些具有低接地反弹，最小冲和控制输出下降时间，从而降低了外部串联电阻器的需要而终止还提供了对小于200pF负载非常高的速度运行。特点： •
2013-3-5