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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
DTA114EM3	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k 文件：146.35 Kbytes Page：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114EM3	Digital Transistors (BRT) 文件：184.73 Kbytes Page：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114EM3	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：149.93 Kbytes Page：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114EM3	Digital Transistors (BRT) 文件：108.63 Kbytes Page：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC114EM3	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolith	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2025-10-19 11:01:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市达恩科技有限公司	DTA114EM3T5G	ON	24+	NA	3000	进口原装假一罚十现货	询价

DT1446-04TS-7
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2023-4-7
DTB143EG-SOT23.3R-TG_UTC代理商
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2023-2-2
DTA123JG-SOT23.3R-TG
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2023-2-1
DTA143TL-SOT323R-TG
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2023-2-1
DTA113ZKAT146
DTA113ZKAT146ROHM30001628+SOT-23原盘原标优势现货
2021-9-17
DT74FCT162244ATPF-缓冲器/驱动器
描述：该FCT162244T16位缓冲器/线路驱动器，是用于总线接口或信号缓冲适用于需要高速和低功耗。这些通过引脚器件有一个组织流程，简化和收缩包装电路板布局。所有输入的设计与改进的噪声容限的滞后。三态控制允许独立的4位，8位或联合16位运作。这些部分在哪里更换插头54/74ABT16244更高的速度，更低的噪音和低功耗水平的需要。该FCT162244T有平衡输出电流水平和电流限制电阻。这些具有低接地反弹，最小冲和控制输出下降时间，从而降低了外部串联电阻器的需要而终止还提供了对小于200pF负载非常高的速度运行。特点： •
2013-3-5