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DTA044TEB	Digital transistor(with built-in resistor) 罗姆开发了数字晶体管的标准产品。 •标准的数字晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
DTA044TEB	100mA/-50V Digital transistors(with built-in resistors) 文件：399.4 Kbytes Page：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA044TEB	丝印代码：08；PNP -60mA -50V Digital Transistor 文件：1.32617 Mbytes Page：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA044TEBTL	封装/外壳：SC-89，SOT-490 包装：卷带（TR）描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	ROHM 罗姆	ROHM
IRFP044	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels	IRF	IRF
IRF044	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：21.98 Kbytes Page：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRF044SMD	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：21.39 Kbytes Page：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFN044SMD	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：22.51 Kbytes Page：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFY044C	N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：14.59 Kbytes Page：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

DTA044TEB供应商更多...

更新时间：2026-5-13 17:16:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市斌腾达科技有限公司	DTA044TEB	ROHM	21+	SOT-416FL	21000	一级代理进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	DTA-0540-60-8-OPT0510	PMI	24+	模块	400		询价
深圳市力拓辉电子有限公司	DTA044TEBTL	ROHM	21+	EMT3F	100	只做原装鄙视假货15118075546	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DTA044TEBTL	ROHM/罗姆	23+	EMT3FSOT-416FL	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
上海金庆电子技术有限公司	DTA044TUB	ROHM	1816+	SOT323	3015	全新发货1-2天	询价
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DT1446-04TS-7
DT1446-04TS-7
2023-4-7
DTA123JG-SOT23.3R-TG
DTA123JG-SOT23.3R-TG
2023-2-1
DTA143TL-SOT323R-TG
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2023-2-1
DTA113ZKAT146
DTA113ZKAT146ROHM30001628+SOT-23原盘原标优势现货
2021-9-17
DT100104安全元件扩展板MIKROE-1032
Microchip 的 ATECC608A 是 CryptoAuth Trust 平台的扩展板
2019-11-25
DT74FCT162244ATPF-缓冲器/驱动器
描述：该FCT162244T16位缓冲器/线路驱动器，是用于总线接口或信号缓冲适用于需要高速和低功耗。这些通过引脚器件有一个组织流程，简化和收缩包装电路板布局。所有输入的设计与改进的噪声容限的滞后。三态控制允许独立的4位，8位或联合16位运作。这些部分在哪里更换插头54/74ABT16244更高的速度，更低的噪音和低功耗水平的需要。该FCT162244T有平衡输出电流水平和电流限制电阻。这些具有低接地反弹，最小冲和控制输出下降时间，从而降低了外部串联电阻器的需要而终止还提供了对小于200pF负载非常高的速度运行。特点： •
2013-3-5