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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRF343	N-CHANNEL POWER MOSFETS N-Channel Power MOSFETs	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
NTE343	Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz) Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC =	NTE	NTE
LM343	High Voltage Operational Amplifier 文件：228.44 Kbytes Page：12 Pages	NSC 国半	NSC
TL343DBV	SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages	TI 德州仪器	TI
TL343IDBV	SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages	TI 德州仪器	TI

DT343供应商更多...

更新时间：2026-3-18 22:50:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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中天科工半导体（深圳）有限公司	IRF343	IR/MOT	专业铁帽	TO-3	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
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DT1446-04TS-7
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2023-4-7
DTA123JG-SOT23.3R-TG
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2023-2-1
DT028ATFT
进口代理
2022-6-29
DTA113ZKAT146
DTA113ZKAT146ROHM30001628+SOT-23原盘原标优势现货
2021-9-17
DT100104安全元件扩展板MIKROE-1032
Microchip 的 ATECC608A 是 CryptoAuth Trust 平台的扩展板
2019-11-25
DT74FCT162244ATPF-缓冲器/驱动器
描述：该FCT162244T16位缓冲器/线路驱动器，是用于总线接口或信号缓冲适用于需要高速和低功耗。这些通过引脚器件有一个组织流程，简化和收缩包装电路板布局。所有输入的设计与改进的噪声容限的滞后。三态控制允许独立的4位，8位或联合16位运作。这些部分在哪里更换插头54/74ABT16244更高的速度，更低的噪音和低功耗水平的需要。该FCT162244T有平衡输出电流水平和电流限制电阻。这些具有低接地反弹，最小冲和控制输出下降时间，从而降低了外部串联电阻器的需要而终止还提供了对小于200pF负载非常高的速度运行。特点： •
2013-3-5