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40VLOWVCE(sat)NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features •BVCEO>40V •IC=500mAHighCollectorCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •Compl

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

40VLOWVCE(sat)NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features •BVCEO>40V •IC=500mAHighCollectorCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •Compl

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更新时间:2024-5-30 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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