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DS2016-150

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

DallasDallas Semiconductor

亚德诺亚德诺半导体

DS2016-150

封装/外壳:24-DIP(0.600",15.24mm) 包装:管件 描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP 集成电路(IC) 存储器

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亚德诺

Shielded SMD Power Inductors

文件:252.17 Kbytes Page:2 Pages

Bourns

伯恩斯

Shielded SMD Power Inductors

文件:281.72 Kbytes Page:2 Pages

Bourns

伯恩斯

DS2016-150产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DS2016-150

  • 功能描述

    静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-18 20:03:00
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