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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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DS1345YL-70 | 1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION The DS1345 1024K Nonvolatile SRAMs are 1,048,576–bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by eight bits. Each NV SRAM has a self–contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out–of– tolerance condition. When such a c | Dallas |   | |
DS1345YL-70 | 封装/外壳：34-LPM 包装：管件 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM 集成电路（IC） 存储器 | AD 亚德诺 | | |
1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION The DS1345 1024K Nonvolatile SRAMs are 1,048,576–bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by eight bits. Each NV SRAM has a self–contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out–of– tolerance condition. When such a c | Dallas | | ||
封装/外壳：34-LPM 包装：管件 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM 集成电路（IC） 存储器 | AD 亚德诺 | |
DS1345YL-70产品属性
- 类型
描述
- 型号
DS1345YL-70
- 功能描述
IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34LPM
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
150
- 系列
- 格式 -
- 存储器
EEPROMs - 串行
- 存储器类型
EEPROM
- 存储容量
4K(2 x 256 x 8)
- 速度
400kHz
- 接口
I²C，2 线串口
- 电源电压
2.5 V ~ 5.5 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
8-VFDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装
8-DFN（2x3）
- 包装
管件
- 产品目录页面
1445(CN2011-ZH PDF)
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2019-11-6
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