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DS1345YL-70

1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION The DS1345 1024K Nonvolatile SRAMs are 1,048,576–bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by eight bits. Each NV SRAM has a self–contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out–of– tolerance condition. When such a c

Dallas

DS1345YL-70

封装/外壳:34-LPM 包装:管件 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM 集成电路(IC) 存储器

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亚德诺

1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION The DS1345 1024K Nonvolatile SRAMs are 1,048,576–bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by eight bits. Each NV SRAM has a self–contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out–of– tolerance condition. When such a c

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封装/外壳:34-LPM 包装:管件 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM 集成电路(IC) 存储器

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DS1345YL-70产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DS1345YL-70

  • 功能描述

    IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34LPM

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    150

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    4K(2 x 256 x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商设备封装

    8-DFN(2x3)

  • 包装

    管件

  • 产品目录页面

    1445(CN2011-ZH PDF)

更新时间:2025-12-16 11:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐

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